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NXP Semiconductors
MMBZxVCL; MMBZxVDL series
Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
5. Limiting values
Table 6. Limiting values
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
P PPM
rated peak pulse power
t p = 10/1000 μ s
[1][2]
-
40
W
I PPM
rated peak pulse current
t p = 10/1000 μ s
[1][2]
MMBZ12VDL
-
2.35
A
MMBZ12VDL/DG
MMBZ15VDL
-
1.9
A
MMBZ15VDL/DG
MMBZ18VCL
-
1.6
A
MMBZ18VCL/DG
MMBZ20VCL
-
1.4
A
MMBZ20VCL/DG
MMBZ27VCL
-
1
A
MMBZ27VCL/DG
MMBZ33VCL
-
0.87
A
MMBZ33VCL/DG
Per device
P tot
total power dissipation
T amb ≤ 25 ° C
[3]
-
350
mW
[4]
-
440
mW
T j
T amb
T stg
junction temperature
ambient temperature
storage temperature
-
? 55
? 65
150
+150
+150
° C
° C
° C
[1]
[2]
[3]
[4]
In accordance with IEC 61643-321 (10/1000 μ s current waveform).
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard
footprint.
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for cathode 1 cm 2 .
Table 7. ESD maximum ratings
T amb = 25 ° C unless otherwise speci?ed.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Max
Unit
Per diode
V ESD
electrostatic discharge voltage
[1][2]
IEC 61000-4-2
-
30
kV
(contact discharge)
machine model
-
2
kV
MMBZXVCL_MMBZXVDL_SER_1
[1]
[2]
Device stressed with ten non-repetitive ESD pulses.
Measured from pin 1 or 2 to pin 3.
? NXP B.V. 2008. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 3 September 2008
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